[15a-315-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [15a-315-7] 2次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaN-HBTの作製

〇安藤 悠人¹、小倉 昌也¹、松下 淳矢¹、宇佐美 茂佳¹、田中 敦之²、永松 謙太郎²、久志本 真希¹、出来 真斗²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^1,2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.名大赤﨑記念研究センター、4.名大VBL)

キーワード：窒化ガリウム、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、2次元正孔ガス