[15a-315-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-315-9] 転写AlGaN/GaN HEMTの熱抵抗における転写基板の熱伝導率の影響

〇廣木 正伸¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：窒化物半導体、HEMT、転写

我々は、h-BN剥離技術を用い、AlGaN/GaN HEMTを様々な基板に転写し、HHEMTの熱抵抗における基板の熱伝導率の影響を調べた。HEMTの熱抵抗は基板の熱抵抗率に線形で増加した。線形的に外挿した結果、基板の熱抵抗率が0でのHEMTの熱抵抗は約4 mmK/Wであった。これは、成長層の熱伝導率が50 W/m K程度であること示している。