[15a-422-1~12] 3.13 半導体光デバイス

[15a-422-9] フッ素系樹脂の深紫外発光ダイオード用封止樹脂としての耐久性とその劣化機構

〇長澤 陽祐¹、山田 貴穂¹、永井 祥子¹、平野 光¹、一本松 正道¹、青崎 耕²、本田 善央³、天野 浩³、赤﨑 勇⁴ (1.創光科学株式会社、2.旭硝子株式会社、3.名古屋大学、4.名城大学)

キーワード：深紫外発光ダイオード、樹脂封止、フッ素系樹脂

AlGaN系深紫外発光ダイオード（波長250~300nm）の封止樹脂として、シリコーン樹脂は深紫外光に対する耐性を持たず、フッ素系樹脂が必要とされること、および、フッ素系高分子の末端基が-CF₃のみが深紫外耐性があることを前回報告した。今回は主鎖構造の異なる2種類のフッ素系樹脂を比較し、主鎖構造に関わる劣化機構について報告する。