[15a-502-1~12] 21.1 Joint Session K

[15a-502-1] Electrical and optical properties of Al and V co-doped ZnO thin films

〇Chisato Tateyama¹, Tomoya Suzuki², Hiroshi Chiba^2,3, Tomoyuki Kawashima², Katsuyoshi Washio² (1.Tohoku Univ., 2.Grad.Sch.Eng.Tohoku Univ., 3.JSPS Research Fellow DC)

Keywords:zinc oxide, co-doping, transparent conductive film

アルミニウム (Al) 添加ZnO薄膜 (AZO) は、Al原子がZn原子を置換し、ドナーとして働くことで低抵抗率を示すことが報告されている。我々はこれまでに、バナジウム (V) 添加ZnO薄膜 (VZO) においては、V原子がドナー型の格子欠陥を形成することで高キャリア密度化すると同時に、中性型の格子欠陥 (Zn欠損) を形成することを明らかにした。本研究では、これらの異なるキャリア生成メカニズムを持つAlと Vを共添加したZnO薄膜 (AVZO) の電気・光学特性を評価した。