[15a-502-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-502-1] Al, V共添加ZnO薄膜の電気・光学特性

〇立山 千聡¹、鈴木 智也²、千葉 博^2,3、川島 知之²、鷲尾 勝由² (1.東北大工、2.東北大院工、3.学振特別研究員 DC)

キーワード：酸化亜鉛、共添加、透明導電膜

アルミニウム (Al) 添加ZnO薄膜 (AZO) は、Al原子がZn原子を置換し、ドナーとして働くことで低抵抗率を示すことが報告されている。我々はこれまでに、バナジウム (V) 添加ZnO薄膜 (VZO) においては、V原子がドナー型の格子欠陥を形成することで高キャリア密度化すると同時に、中性型の格子欠陥 (Zn欠損) を形成することを明らかにした。本研究では、これらの異なるキャリア生成メカニズムを持つAlと Vを共添加したZnO薄膜 (AVZO) の電気・光学特性を評価した。