2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-502-1~12] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年3月15日(水) 09:00 〜 12:15 502 (502)

古田 守(高知工科大)

11:45 〜 12:00

[15a-502-11] アモルファスCuCrO2薄膜の固相成長におけるNとMg添加の効果

千葉 博1,2、保坂 直寿1、川島 知之1、鷲尾 勝由1 (1.東北大院工、2.学振特別研究員DC)

キーワード:デラフォサイト型酸化物、p型透明導電酸化物、固相成長

p型のデラフォサイト型透明導電酸化物:CuCrO2膜(CCO)において、Ar/N2混合雰囲気でスパッタにより形成したMg添加アモルファスCuCrO2薄膜(Mg-CCO)の固相成長(SPC)が低抵抗化に有効であることを示した。本研究では、SPCにおける結晶成長機構と低抵抗化メカニズムの解明を目的とし、SPCにおけるNとMg添加の効果について検討した。