[15a-503-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[15a-503-2] Growth of AlGaN (0001) epitaxial layer on Ga₂O₃ (-201) substrate with SiNx-dots mask

〇YOSHIKATSU MORISHIMA¹, HIDEKI HIRAYAMA², SHIGENOBU YAMAKOSHI¹ (1.Tamura Corp., 2.Riken)

Keywords:AlGaN, MOCVD, Ga2O3

酸化ガリウム（Ga₂O₃）は紫外領域から可視光の全域にわたり透明度が高い上、ドーピングにより低抵抗なn型特性を持たせることができるため、縦型構造をもつ可視・紫外LED用基板としての応用に適する。今回我々は310nm帯高出力LEDの実現のためにGa₂O₃(-201)基板上Al_0.33Ga_0.67Nの低転位化と、基板とエピ層の界面の電気的ポテンシャルバリアの低減化をSiNxドットパターンマスクをしたGa₂O₃(-201)基板を用いて検討した。