[15a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-503-2] SiNxドットパターンマスクを施したGa₂O₃（-201）基板上AlGaN (0001)エピタキシャル膜の成長

〇森島 嘉克¹、平山 秀樹²、山腰 茂伸¹ (1.タムラ製作所、2.理研)

キーワード：AlGaN、MOCVD、酸化ガリウム

酸化ガリウム（Ga₂O₃）は紫外領域から可視光の全域にわたり透明度が高い上、ドーピングにより低抵抗なn型特性を持たせることができるため、縦型構造をもつ可視・紫外LED用基板としての応用に適する。今回我々は310nm帯高出力LEDの実現のためにGa₂O₃(-201)基板上Al_0.33Ga_0.67Nの低転位化と、基板とエピ層の界面の電気的ポテンシャルバリアの低減化をSiNxドットパターンマスクをしたGa₂O₃(-201)基板を用いて検討した。