[15a-512-1~12] 3.7 レーザープロセシング

[15a-512-3] Si基板へのフェムト秒レーザー誘起周期構造形成のフルエンス依存性

〇川北 真鈴¹、宮川 鈴衣奈¹、江龍 修¹ (1.名工大)

キーワード：フェムト秒レーザー

形成する構造の制御とその機能的応用を目的とし、光強度を変化させてSi基板にフェムト秒レーザーを照射し、形成される構造について調べた。レーザー照射(平均光強度0.8 W、繰り返し周波数100kHz)したSi基板の表面には周期の異なる3種の構造が形成され、レーザービームの中心から離れるにつれ、周期が細かくなっていた。