[15a-512-1~12] 3.7 レーザープロセシング

[15a-512-7] フェムト秒レーザーレーザーアニールによるp-GaN上へのNi/Auオーミック電極作製

山崎 勇輝¹、川上 博貴¹、直井 美貴¹、〇富田 卓朗¹ (1.徳島大工)

キーワード：フェムト秒レーザー加工、GaN、ワイドバンドギャップ半導体

p-GaNとNi/Au(20/20 nm)電極の界面 にサファイア面からフェムト秒レーザを照射した。レーザフルエンスを0.11 J/cm²から 0.28 J/cm²の間で変化させて照射した。作製した電極について 2探針法で電流圧特性評価を行った。電極は90µm×90µmの正方形の形状で、電極間距離は90µmである。その結果、フェムト秒レーザ未照射の電極ではショットキー特性を示したのに対して、レーザフルエンス0.11J/cm²から0.28 J/cm²ではオーミック特性を確認できた。これらの結果から、レーザフルエンス0.10J/cm²以上で p-GaNと電極の界面にフェムト秒レーザを照射するとオーミック電極が作製できると考えられる。