[15a-F201-1~12] 15.7 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

[15a-F201-7] Behavior of point-defect-incorporation in ultra-high temperature RTP under oxygen atmosphere (I)

〇Susumu Maeda¹, Hideyuki Okamura¹, Kozo Nakamura³, Haruo Sudo¹, koji Sueoka² (1.GlobalWafers Japan Co.,Ltd., 2.Faculty of Computer Science and System Engineering, Okayama Prefectural Univ., 3.Regional Cooperative Research Organization, Okayama Prefectural Univ.)

Keywords:Rapid Thermal Process, Oxidation, Interstitial silicon

前回、1300℃以上の酸素雰囲気RTP では酸化による格子間シリコンの注入効果でボイド欠陥や窒素起因酸素析出核を消去できること、残留空孔により酸素析出が促進されることを報告した。しかし、この温度域で導入される点欠陥濃度についての報告例はない。本研究はRTPにて導入される点欠陥濃度を酸素析出物密度から推定し、その導入機構を調査したので報告する。