[15a-F202-1~13] 3.12 ナノ領域光科学･近接場光学

[15a-F202-11] 近接場光によるシリコン半導体の波数励起

〇野田 真史¹、山口 真生²、信定 克幸¹ (1.分子研、2.東大院工)

キーワード：近接場光励起、シリコン半導体、電子ダイナミクス

現実的な系であるシリコン半導体における近接場光励起を、第一原理計算に基づく電子励起ダイナミクスにより検証した。近接場光照射下における遷移確率の見積もりでは、異なる波数間の遷移が起こりやすいことが分かり、実際の近接場光励起でも異なる波数間における光吸収は1.6eV付近で立ち上がっていることが分かった。この吸収は、通常のレーザー光による吸収よりも1桁大きく、シリコンの光高機能化に強くつながると言える。