[15a-F203-1~8] 17.3 層状物質

[15a-F203-3] 六方晶窒化ホウ素薄膜成長における初期核形成の成長条件依存性

〇梅原 直己¹、安達 拓郎²、光野 徹也²、小南 裕子²、原 和彦^1,3 (1.静岡大創造大院、2.静岡大院工、3.静岡大電子研)

キーワード：六方晶窒化ホウ素、化学気相法、薄膜

我々のグループでは，デバイス応用に向けた大面積h-BN薄膜の作製技術の確立に取り組んでおり，これまでにBCl₃とNH₃を原料とする化学気相法を用いたc面サファイア基板上への単結晶薄膜の作製を報告してきた．しかしながら，グラフェン系デバイスなどへの応用の観点からは表面平坦性などの特性は不十分であり，更なる向上が求められる．本報告では，表面平坦性向上に必要な初期核の均一な形成に向けて，成長温度が核形成に与える影響および成長前の基板の表面形状が結晶核の形成に与える影響を調査した結果を報告する．