2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[15a-F203-1~8] 17.3 層状物質

2017年3月15日(水) 10:15 〜 12:15 F203 (F203)

根岸 良太(阪大)

11:00 〜 11:15

[15a-F203-4] 大面積で均一な多層h-BNのCVD成長とTMDCとのヘテロ構造への展開

内田 勇気1、仲村渠 翔1、河原 憲治2、山崎 重人1、光原 昌寿1、吾郷 浩樹1,2,3 (1.九大院総理工、2.九大GIC、3.JSTさきがけ)

キーワード:層状物質、CVD成長、2次元材料

h-BNの多層膜は二次元材料の理想的な絶縁層として期待されている。ここ数年、多層h-BNのCVD 成長に関する複数の報告がなされているが、成長したh-BNの厚さや結晶性は非常に不均一である。我々は原料ガスの種類、金属触媒等を検討した結果、ボラジンを原料、結晶面を制御した合金薄膜を触媒として用いることで3~10 nmの膜厚で均一性が高い多層h-BNの大面積成長を実現した。多層h-BN上に直接成長した単層WS2では、光学特性の大幅な向上が確認された。