2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[15a-F204-1~12] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2017年3月15日(水) 09:00 〜 12:15 F204 (F204)

石川 由加里(JFCC)

09:00 〜 09:15

[15a-F204-1] Cr単一溶媒によるSiC溶液成長における育成温度と結晶品質の関係

鈴木 皓己1、太子 敏則1,2 (1.信州大工、2.信州大 環境・エネ研)

キーワード:SiC溶液成長、バルク結晶育成