[15a-F204-1~12] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15a-F204-12] Temperature dependence of photoluminescence decay time from 1SSF and PD in 4H-SiC

〇Shinya Katahira¹, Yoshihito Ichikawa¹, Shunta Harada², Tunenobu Kimoto³, Masashi Kato¹ (1.NITech, 2.Nagoya Univ., 3.Kyoto Univ.)

Keywords:SiC, SSF, Lifetime

SiCバイポーラデバイスにおいて、4H-SiC中の部分転位（PD）の移動とそれに伴うシングルショックレー型積層欠陥(1SSF)の面積の拡大は、順方向劣化現象を引き起こす。我々は以前、1SSFに起因する420 nmの発光はバンド端(band edge)に起因する390 nmの発光に比べ、速い減衰時定数を持つことを報告した。本研究ではより詳細な検討を行うために、n型に加えてp型の試料に対してPDに起因する波長680 nmおよび790 nmの発光の時間分解PL（TRPL）測定を実施した。