[15a-F204-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-F204-12] 4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性

〇片平 真哉¹、市川 義人¹、原田 俊太²、木本 恒暢³、加藤 正史¹ (1.名工大、2.名大、3.京大)

キーワード：SiC、SSF、ライフタイム

SiCバイポーラデバイスにおいて、4H-SiC中の部分転位（PD）の移動とそれに伴うシングルショックレー型積層欠陥(1SSF)の面積の拡大は、順方向劣化現象を引き起こす。我々は以前、1SSFに起因する420 nmの発光はバンド端(band edge)に起因する390 nmの発光に比べ、速い減衰時定数を持つことを報告した。本研究ではより詳細な検討を行うために、n型に加えてp型の試料に対してPDに起因する波長680 nmおよび790 nmの発光の時間分解PL（TRPL）測定を実施した。