[15a-F204-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-F204-6] SiC溶液成長結晶のドーピング制御に向けた4H-SiC中Al, Nの熱力学

〇川西 咲子¹、柴田 浩幸¹、吉川 健² (1.東北大多元研、2.東大生研)

キーワード：シリコンカーバイド、溶液成長、ドーピング

これまでに種々の条件での溶液成長で育成した4H-SiC中のAl, N濃度が報告されているものの、溶媒系や成長温度を考慮したドーピング制御指針は確立されていない。そこで本研究では4H-SiC中Al, Nの熱力学評価を行った。これを用いて推算したSiC中Al, N濃度は報告値をよく再現しており、種々の窒素分圧、溶媒組成や温度における4H-SiC中Al, N濃度を熱力学的に予測可能である事が示された。