[15a-P10-1~5] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[15a-P10-5] フラッシュランプアニールによるa-Si膜の結晶化における起点制御の検討

〇(M1)佐藤 大暉¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：フラッシュランプアニール、結晶化

a-Si膜のFLAによる結晶化における、結晶化開始箇所の制御を試みた。スパッタ法で基板中心部に部分的にa-Siを堆積した後、Cat-CVD法で基板全面にa-Siを堆積し、FLAを行った。a-Siを二重堆積した箇所から周囲へ向かう結晶化が目視にて観察され、それらの範囲のラマンスペクトルは結晶Si由来のピークを示した。これらの結果から、スパッタ法により堆積したa-Si膜はCat-CVDで堆積したa-Si膜に対して、結晶化の起点として働く可能性があることを見出した。