[15a-P11-1~15] 16.3 シリコン系太陽電池

[15a-P11-2] B Cat-doping法によるa-Si／ITO界面の電気特性の変化

〇秋山 勝哉¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：シリコンヘテロ接合太陽電池

Siヘテロ接合太陽電池への応用を目的に、a-Si膜へのB Cat-dopingがa-Si/ITO接合の電気特性におよぼす効果を調査した。水素流量を系統的に変化させてi-a-Si膜へのBのCat-dopingを行い、Al/B Catドープ層/i-a-Si/p-c-Si/Al構造をもつ試料を作製した。Cat-dopingを行った試料は、Cat-dopingを行っていない試料と比較して逆バイアス印加時の電流値が大きいことを確認した。この結果から、Cat-dopingがa-Si/ITO界面の電気特性改善に有効であることを明らかにした。