[15a-P11-1~15] 16.3 シリコン系太陽電池

[15a-P11-5] スピンコート法で作製したCuIのヘテロ接合型太陽電池のホール選択層への検討

〇(P)後藤 和泰¹、崔 敏¹、高橋 勲¹、黒川 康良¹、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工)

キーワード：半導体、キャリア選択層

近年、従来のドープ層を用いたpn接合太陽電池を凌駕する高性能太陽電池の実現を目指して、遷移金属酸化物などをキャリア選択層として用いたヘテロ接合型結晶シリコン（Si）太陽電池の研究が盛んにおこなわれている。本研究では、CuIをヘテロ接合型Si太陽電池のホール選択層に応用することを目的として、Si上にCuIをスピンコート法で堆積し、その構造評価や光学的特性およびキャリアライフタイムによる電気的特性の評価を行った。