[15a-P5-1~9] 6.4 薄膜新材料

[15a-P5-6] SOI 基板を用いたSi(100) 上の複合面方位CeO₂ 領域間の完全分離

〇井上 知泰¹、信田 重成¹ (1.いわき明星大)

キーワード：複合面方位構造、方位選択エピタキシャル成長、二酸化セリウム

Si(100) 基板上にCeO₂ 膜の(100)或は(110)のいずれかの方位を選択して成長させる方位選択エピタキシ(OSE)の研究を行っている. 方位選択性は基板表面の電位分布により制御できるが, 低速電子ビーム照射による方法により複合面方位構造の形成が可能となった. 試料面内の結晶方位分布の解析から, (100)と(110)領域の間に遷移領域が存在することが分かり, その幅の縮小化が課題である. SOI基板にトレンチを形成して, 互いに電気的に絶縁されたSOI領域を形成し、電子ビーム照射領域と非照射領域でそれぞれ(100)と(110)方位のCeO₂ 膜を成長させる研究を進めている. トレンチ断面構造の最適化, 特にドライエッチングによる垂直断面のトレンチ形成により両領域間の完全分離が達成できることが分った.