The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[15a-P5-1~9] 6.4 Thin films and New materials

Wed. Mar 15, 2017 9:30 AM - 11:30 AM P5 (BP)

9:30 AM - 11:30 AM

[15a-P5-8] The relation of formation and vaporizing temperature of ZnO whisker using atmospheric chemical vapor deposition

Naoki Kakuda1, Keiji Komatsu2, Hidetoshi Saitoh2 (1.NIT, Yonago Colege, 2.Nagaoka Univ. Tech.)

Keywords:zinc oxide, thermal chemical vapor deposition, whisker

大気開放型CVD法により製膜した酸化亜鉛(ZnO)ウイスカーの製膜過程を電界放出型走査電子顕微鏡などで評価した。原料の亜鉛(II)アセチルアセトナートの気化温度に対して製膜速度は線形に増加した。また、気化温度が高い場合にはウイスカー形成初期に基板と薄膜との界面層が形成されたが、低い場合にはされなかった。