[15a-P5-1~9] 6.4 薄膜新材料

[15a-P5-8] 大気開放型CVD法を用いた酸化亜鉛ウイスカーの形成と気化温度との関係

〇角田 直輝¹、小松 啓志²、齋藤 秀俊² (1.米子高専、2.長岡技科大)

キーワード：酸化亜鉛、熱CVD、ウイスカー

大気開放型CVD法により製膜した酸化亜鉛（ZnO）ウイスカーの製膜過程を電界放出型走査電子顕微鏡などで評価した。原料の亜鉛(II)アセチルアセトナートの気化温度に対して製膜速度は線形に増加した。また、気化温度が高い場合にはウイスカー形成初期に基板と薄膜との界面層が形成されたが、低い場合にはされなかった。