[15a-P6-1~13] 6.5 表面物理・真空

△ [15a-P6-11] X線CTR散乱法によるGaN結晶表面の測定

〇海野 由佳¹、安藤 香代子¹、野口 彩純¹、北島 由梨¹、天貝 早希¹、宮下 遥香¹、秋本 晃一¹ (1.日本女子大理)

キーワード：GaN、CTR

省エネルギー社会実現に期待されているGaNデバイスのさらなる実用化には、GaN結晶の質の向上が求められています。そこで、成長過程の基本的問題を理解するためには、表面・界面における構造を知ることが重要とされています。
今回、表面・界面における垂直方向の緩和についての解析を行うために、X線CTR散乱法で得られた2つのGaN試料c面（① MOCVD法、② HVPE法）の結果について報告します。