[15a-P6-1~13] 6.5 表面物理・真空

[15a-P6-13] STMにおけるdI/dV像の簡易モデルによるSN比評価

〇草薙 一輝¹、岡崎 竜也¹、朴 鎭佑¹、佐藤 佑樹¹、小川 義展¹、松山 秀生¹ (1.北大理)

キーワード：走査トンネル顕微鏡、SN比、dI/dV

走査トンネル顕微鏡（STM）を利用して試料の局所状態密度（LDOS）を計測する際，バイアス電圧に変調電圧を重畳し，ロックインの手法を用いることが多い．ただし探針-試料間に浮遊容量があり，ロックインアンプの出力にはこの影響が重畳される．本研究では検出系の探針-試料を抵抗R_S，浮遊容量C_sで置き換えた簡単なモデル系として扱い，検出信号のSN比を議論する．また<em style="font-size:16px">C_sを通して流れる電流をキャンセルする簡便な手法を提案する．