[15a-P8-1~31] 12.1 作製・構造制御

[15a-P8-14] 二酸化炭素を用いた超臨界溶体急速膨張法によるTIPSペンタセン製膜に対する基板設置角度の影響

〇(M1)小林 貴紀¹、内田 博久^1,2 (1.信州大院理工、2.金沢大理工)

キーワード：超臨界二酸化炭素、TIPSペンタセン薄膜、基板設置角度

我々は，連続的かつ有機溶媒フリーな製膜手法としてCO₂を用いた超臨界溶体急速膨張(RESS)法を提案し，種々の有機半導体材料で製膜に成功した．本研究では，RESS法を用いて酸化シリコン基板上にTIPSペンタセン薄膜の製膜を試みた．その際，基板設置角度を変化させ，溶体を基板に斜めに噴射することで，キャリア伝達方向である基板水平方向の結晶成長促進を試み，その影響を電気特性および結晶性の観点から検討した．