2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[15a-P9-1~4] 13.7 ナノ構造・量子現象

3.11と13.7のコードシェアセッションあり

2017年3月15日(水) 09:30 〜 11:30 P9 (展示ホールB)

09:30 〜 11:30

[15a-P9-3] 同一基板上GaAs/AlGaAs量子井戸におけるキャリア緩和時間の井戸幅依存性

山田 築1、亀崎 拓也1、大木 俊介1、石川 友樹1、下村 哲2、竹内 淳1 (1.早大先進理工、2.愛媛大理工)

キーワード:GaAs、キャリア緩和時間、井戸幅依存性

分子線エピタキシー法により成長されたGaAs/AlGaAs量子構造は、様々な光学デバイスに利用されている。本研究では、同一のGaAs (100)基板上に井戸幅の異なるGaAs/AlGaAs単一量子井戸を成長し、そのそれぞれのフォトルミネッセンスを時間分解測定することで、キャリア緩和時間の井戸幅依存性を調べた。