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[15a-P9-3] 同一基板上GaAs/AlGaAs量子井戸におけるキャリア緩和時間の井戸幅依存性
キーワード:GaAs、キャリア緩和時間、井戸幅依存性
分子線エピタキシー法により成長されたGaAs/AlGaAs量子構造は、様々な光学デバイスに利用されている。本研究では、同一のGaAs (100)基板上に井戸幅の異なるGaAs/AlGaAs単一量子井戸を成長し、そのそれぞれのフォトルミネッセンスを時間分解測定することで、キャリア緩和時間の井戸幅依存性を調べた。