[15a-P9-1~4] 13.7 ナノ構造・量子現象

[15a-P9-4] 同一基板上GaAs/AlGaAs単一量子井戸におけるスピン緩和時間の井戸幅依存性

〇亀崎 拓也¹、山田 築¹、大木 俊介¹、石川 友樹¹、下村 哲²、竹内 淳¹ (1.早大先進理工、2.愛媛大理工)

キーワード：スピン、量子井戸

量子井戸中のスピン緩和現象は、基礎物性と応用の両面において興味深い。Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体におけるスピン緩和メカニズムの解明は 、スピントロニクスデバイスの実用化のために重要であり、全光スイッチングデバイス等への応用が期待されている。本研究では、円偏光時間分解ポンププローブ反射計測を用いて、井戸幅が異なるGaAs/Al_0.3Ga_0.7As単一量子井戸のスピン緩和時間の井戸幅依存性を調べた。