[15p-211-1~18] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

△ [15p-211-1] Controlling Impurity Distribution in Quasi-Mono Crystalline Si Ingot by Seed Manipulation for Artificially Controlled Defect Technique

〇(M1)Yusuke Hayama¹, Isao Takahashi¹, Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:Impurity, Dislocation, Defects

擬似単結晶Siは、多結晶および単結晶Siの利点を併せ持つ太陽電池用材料として期待されているが、その成長法には転位発生、多結晶化、不純物拡散といった課題が存在する。そこで、我々は新たな成長法としてSMART法を提案している。この方法はインゴットに人工的な欠陥層を発生させ従来法のすべての課題を解決することを狙っている。本研究では、SMART法を用いてインゴットを作製し、その後の熱処理による結晶品質の変化について調査した。