[15p-211-1~18] 16.3 シリコン系太陽電池

[15p-211-15] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたリンイオン注入単結晶Si太陽電池の活性化ドーパント分布の定量評価及び実効拡散係数の推定

〇廣瀬 光太郎¹、棚橋 克人²、高遠 秀尚²、長 康雄¹ (1.東北大通研、2.産総研)

キーワード：半導体、容量、ドーピング

太陽電池内部のドーパント分布は効率に関わる重要な評価対象である．我々は走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)を用いてリンイオン注入単結晶Si太陽電池の断面の活性化ドーパント分布を定量的に可視化した．その定量計測結果から実効拡散係数D_effを推定した．イオン注入条件とD_effから3次元の拡散をシミュレーションすると，SNDMの実測結果と良い一致を示した．この結果からSNDMによるドーパント分布の定量評価が有効であると結論付けられる．