14:00 〜 14:15
[15p-211-3] 顕微メスバウア分光装置を用いた多結晶シリコン中の鉄不純物観察
キーワード:半導体
我々は以前に,顕微メスバウア分光によって多結晶シリコン中の鉄不純物は結晶粒界のみならず粒内にも分布し,結晶粒ごとに異なる分布が観察できることを報告した.今回は,鉄故意汚染から拡散熱処理に至るプロセスを真空中で行い,200℃と800℃でそれぞれ熱処理した試料中の鉄分布と格子欠陥分布との対応を評価するため,顕微メスバウア分光とPLマッピングを同一視野で行ったので報告する.