[15p-211-1~18] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[15p-211-6] TEM Image Analysis of Oxygen Precipitation Behavior in n-type Cz-Si for Photovoltaic - Effect of C Concentration and Growth

〇Takuto Kojima¹, Kosuke Kinoshita¹, Ryota Suzuki¹, Kyotaro Nakamura¹, Atsushi Ogura¹, Yoshio Oshita², Isao Masada³, Shoji Tachibana³ (1.Meiji Univ., 2.Toyota Tech. Inst., 3.Tokuyama Corporation)

Keywords:oxygen precipitate, TEM, carrier lifetime

太陽電池用単結晶シリコン中の酸素は結晶成長およびデバイスプロセス中に析出，成長し，キャリア寿命の主要な劣化要因となる．本研究では太陽電池プロセスによる酸素析出物の成長とデバイスへの影響を透過電子顕微鏡（TEM）評価から議論する．また析出の初期状態の影響を検討するため2種の成長条件（CZ-A, CZ-B）を用い，~1000 °Cの処理を含むn型PERT両面受光型セル作製プロセス後の基板を観察した．