[15p-213-1~4] CS.9 3.5レーザー装置・材料,3.14光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション

[15p-213-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 磁気ドメインを利用した薄膜Qスイッチレーザーの開発

〇後藤 太一^1,2、森本 凌平¹、プリチャード ジョン³、高木 宏幸¹、中村 雄一¹、リム パンボイ¹、内田 裕久¹、ミナ マニ³、平等 拓範⁴、井上 光輝¹ (1.豊橋技科大、2.JST さきがけ、3.アイオワ州立大、4.分子研)

キーワード：磁気光学効果、磁気ドメイン、Qスイッチ

ピーク値が50 A，パルス幅が300 μsの準CWレーザーダイオード励起を用いたとき，尖頭値2 kWのQスイッチ発振を得た。さらに，190 Oe程度のバイアス磁場を印加することで同出力を得るのに必要なパルス磁場強度を低減できることが分かった。パルス幅や，尖頭値は，そのままで，Qスイッチに必要な電流が約７倍低減された。本研究によって，レーザー媒質の異方性に依らない，磁気ドメインの消失を利用した薄膜Qスイッチレーザーが実証された。