[15p-304-1~10] 長期保管メモリのための高信頼配線技術

[15p-304-6] 銅配線のストレスマグレーションの特徴と長期メモリのための対策

〇松山 英也¹ (1.株式会社ソシオネクスト)

キーワード：ストレスマイグレーション、ストレス・インデュースド・ボイディング、銅配線

長期メモリ開発のためには一般の商用デバイスを超える信頼性が要求される。配線ではストレスマイグレーション故障がエレクトロマイグレーションと並ぶ半導体デバイスの配線の代表的な故障である。エレクトロマイグレーションと同じく摩耗故障であるため長期保管メモリの開発にはこの故障現象の理解と対策が必須になる。本講演では銅配線の長期時間試験のデータを使いストレスマイグレーション故障のメカニズムを説明し、通常の保証期間を超える長期保存に耐えるための対策を提案する。