[15p-311-1~18] 6.4 Thin films and New materials

△ [15p-311-11] Graphoepitaxial growth of In₂O₃ by quasi-VLS method on V-groove patterned substrates

〇Tokohei Go¹, Kohei Yoshimatsu¹, Akira Ohtomo^1,2 (1.Tokyo Tech., 2.MCES.)

Keywords:graphoepitaxy, VLS, indium oxide

グラフォエピタキシーは，基板表面にサブミクロン周期で形成された立体形状と異方的な薄膜－基板界面エネルギーを利用して薄膜の面内配向を制御する技術である．我々は前回，この手法をIn₂O₃に適用し，逆ピラミッドテクスチャSiO₂/Si基板上に，擬VLS法によってIn₂O₃のグラフォエピタキシャル成長を実現したことを報告した．今回は，基板面でストライプ－アレイ状に配置したV溝パターンSiO₂/Si基板を用いることで，配向度の向上を確認したので報告する．