[15p-311-1~18] 6.4 薄膜新材料

△ [15p-311-3] パルスレーザー堆積法によるMn₃GaNエピタキシャル薄膜の作製

〇宮本 稜¹、金澤 航己¹、一瀬 中²、浦田 隆広¹、畑野 敬史¹、飯田 和昌¹、生田 博志¹ (1.名大院工、2.電中研)

キーワード：マンガン窒化物、薄膜、パルスレーザー堆積法

逆ペロブスカイト型マンガン窒化物Mn₃GaNは室温付近で反強磁性転移することが報告されている。また、歪み印加により磁化が誘起されることが理論的に予測されている。今回、我々はMn₃GaN薄膜の作製に取り組み、MgO(100)上にMn₃GaN単結晶薄膜の作製に成功した。さらにこの薄膜は300 K付近で弱強磁性転移を示した。この原因は、基板からの影響で薄膜が面内に伸長歪みを受けたためと考えられる。