2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-315-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2017年3月15日(水) 13:15 〜 17:45 315 (315)

重川 直輝(大阪市立大)、岡田 浩(豊橋技科大)

17:30 〜 17:45

[15p-315-17] ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の高電圧動作

〇(M1)河野 直士1、深見 成1、桝谷 聡士1、大島 孝仁1、嘉数 誠1、大石 敏之1 (1.佐賀大学院工)

キーワード:ダイヤモンド、レクテナ回路、ショットキーバリアダイオード

ダイヤモンドは高絶縁破壊電界であるため,無線電力伝送の大電力化に適した材料である .我々は,これまでにダイヤモンドショットキーバリアダイオードを使ったレクテナ回路で,動作電圧9 V,周波数10 MHzの高周波をDCに変換できることを実証した.今回,さらに高電圧(振幅 50 V)で動作させたので報告する.