[15p-315-1~17] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [15p-315-2] Synchrotron Radiation Photoemission Study of Thermal Oxidation of AlGaN Surface

〇(M1)Kenta Watanabe¹, Takahiro Yamada¹, Mikito Nozaki¹, Satoshi Nakazawa², Hongan Shih², Yoshiharu Anda², Tetsuzo Ueda², Akitaka Yoshigoe³, Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.Panasonic, 3.JAEA)

Keywords:GaN, AlGaN, HFET

高性能AlGaN/GaN-HFETの実現には、ノーマリオフ化・ゲートリーク電流抑制という点MOSゲート構造が望ましいため、絶縁膜/AlGaN界面制御が重要である。界面制御の手段として、AlGaN表面の酸化があるがAlGaN表面の初期酸化過程に関しては十分な評価は行われていない。そこで本研究ではAlGaN表面の酸化過程を放射光光電子分光分析によって調べた。