13:30 〜 13:45
△ [15p-315-2] AlGaN表面の熱酸化過程の放射光光電子分光分析
キーワード:GaN、AlGaN、ヘテロ接合トランジスタ
高性能AlGaN/GaN-HFETの実現には、ノーマリオフ化・ゲートリーク電流抑制という点MOSゲート構造が望ましいため、絶縁膜/AlGaN界面制御が重要である。界面制御の手段として、AlGaN表面の酸化があるがAlGaN表面の初期酸化過程に関しては十分な評価は行われていない。そこで本研究ではAlGaN表面の酸化過程を放射光光電子分光分析によって調べた。