[15p-315-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-315-4] GaN MOSキャパシタのC-V特性における周波数分散の理解

〇田岡 紀之¹、久保 俊晴²、山田 寿一¹、江川 孝志²、清水 三聡¹ (1.産総研、2.名工大)

キーワード：GaN、周波数分散、表面ポテンシャル揺らぎ