[15p-315-1~17] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [15p-315-9] Improvement of stability and controllability of GaN MOS-HEMTs

〇Shota Kaneki¹, Kenya Nishiguchi¹, Tamotsu Hashizume¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, MOSHEMT, Nitride

インバータ用途ノーマリオフ動作AlGaN/GaN HEMTや高周波用途InAlN/GaN HEMTにおいて、絶縁ゲート構造はゲートリーク電流を抑制するために必要不可欠である。一方で、MOS界面の準位密度に起因するデバイスの動作不安定性などの問題が存在する。本発表ではGaN MOS-HEMTを作製し、逆バイアスを印加した状態で低温での大気中アニールを行い、制御性及び安定性の向上を図った。