2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.9 光物性・発光デバイス

[15p-411-1~16] 13.9 光物性・発光デバイス

2017年3月15日(水) 13:15 〜 17:30 411 (411)

植田 和茂(九工大)、篠崎 健二(産総研)

17:15 〜 17:30

[15p-411-16] GaN:Eu赤色LEDの発光ゆらぎ:インタラクティブな発光過程の解析

石井 真史1、稲葉 智宏2、藤原 康文2 (1.物材機構、2.阪大工)

キーワード:ゆらぎ、希土類添加半導体、再励起

蛍光寿命測定は、発光過程を調べる代表的な方法の一つである。しかし、得られる物性値はモデル依存の部分が多い。我々は、発光ゆらぎから背後にある物理過程を定量計測することを提案する。GaN:Eu赤色LEDに発光ゆらぎ測定を適用し、良く知られたGaNでの再結合エネルギーをEuの励起に使う過程とは異なる、一旦基底状態に戻ったEuが、欠陥等周囲とのインタラクティブな過程によって再励起される様子を詳らかにした。