[15p-411-1~16] 13.9 光物性・発光デバイス

[15p-411-8] Sn添加シリコン酸窒化膜のフォトルミネッセンス特性(膜厚依存性)

〇(M1)古澤 翔太¹、中村 駿介¹、呉 研¹、高橋 芳浩¹ (1.日大理工)

キーワード：フォトルミネッセンス、光CVD、SiON膜

これまでにDry酸化膜を始めとするSiO₂膜にSnを拡散し，可視領域でのPL発光を確認している．本報告では，光CVD法により製膜したSiON膜にSnを拡散し，PL特性のSiON膜厚依存性について検討を行った．結果より，強いPL発光強度を得るためには，より厚いSiON膜厚が必要であることが分かった．この原因はSiON膜の深さ方向にSnの拡散係数が異なっていることにあると予想している．