[15p-411-1~16] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[15p-411-8] Thickness dependence on Photo Luminescence properties of Sn doped SiON films

〇(M1)Shota Furusawa¹, Shunsuke Nakamura¹, Yan Wu¹, Yoshihiro Takahashi¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:photo luminescence, Photo-assisted CVD, SiON film

これまでにDry酸化膜を始めとするSiO₂膜にSnを拡散し，可視領域でのPL発光を確認している．本報告では，光CVD法により製膜したSiON膜にSnを拡散し，PL特性のSiON膜厚依存性について検討を行った．結果より，強いPL発光強度を得るためには，より厚いSiON膜厚が必要であることが分かった．この原因はSiON膜の深さ方向にSnの拡散係数が異なっていることにあると予想している．