[15p-412-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

[15p-412-14] グラファイト状窒化炭素薄膜の合成温度と光学ギャップ

〇羽渕 仁恵¹、青山 宏明¹、安田 和史¹、滝川 浩史² (1.岐阜高専、2.豊橋技科大)

キーワード：g-C3N4、半導体薄膜

グラファイト状窒化炭素(g-C₃N₄)は約2.7 eVのバンドギャップを持つ半導体になる。我々はグアニジン炭酸塩を原料とし蒸着法でg-C₃N₄薄膜を合成した、原料と基板温度の差を50℃として原料の温度を600℃から650℃に上げると光学ギャップが低くなる結果が得られた。