[15p-421-1~18] 9.2 Nanowires and Nanoparticles

[15p-421-4] Growth Mechanism of GaAs/GaAsBi heterostructured nanowires on Si(111)

〇kyohei takada¹, Kohei Nishioka¹, Kohsuke Yano¹, Takeshi Hayakawa¹, Pallavi Patil¹, Fumitaro Ishikawa¹, Satoshi Shimomura¹, Kazuki Nagashima², Takeshi Yanagida² (1.Ehime Univ, 2.Kyushu Univ)

Keywords:nanowire

半導体ナノワイヤは，超高集積化や低次元化による新たな物性の発現や新規応用分野の開拓を担う材料として期待されている．III–V 族化合物半導体GaAsを用いたナノワイヤは，単一のナノワイヤがレーザとして動作する，ナノスケールレーザとして機能する．しかし，同材料を用いる赤外域半導体レーザは，従来本質的な発熱の問題を抱えている．この原因の一つとしてオージェ再結合による非発光再結合が挙げられ，現在同材料にビスマスを導入することでこれを抑制することが期待されている．その中で我々は，これまでGaAs/GaAsBi コア-マルチシェルナノワイヤをSi(111) 基板上に結晶成長することに成功している．今回はその中で観測された特徴的GaAsBiナノワイヤの構造特性および結成長機構及について検討した結果を報告する。