[15p-421-1~18] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[15p-421-4] Si(111) 基板上GaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤの成長機構

〇高田 恭兵¹、西岡 康平¹、矢野 康介¹、早川 岳志¹、Patil Pallavi¹、石川 史太郎¹、下村 哲¹、長島 一樹²、柳田 剛² (1.愛媛大工、2.九大先導研)

キーワード：ナノワイヤ

半導体ナノワイヤは，超高集積化や低次元化による新たな物性の発現や新規応用分野の開拓を担う材料として期待されている．III–V 族化合物半導体GaAsを用いたナノワイヤは，単一のナノワイヤがレーザとして動作する，ナノスケールレーザとして機能する．しかし，同材料を用いる赤外域半導体レーザは，従来本質的な発熱の問題を抱えている．この原因の一つとしてオージェ再結合による非発光再結合が挙げられ，現在同材料にビスマスを導入することでこれを抑制することが期待されている．その中で我々は，これまでGaAs/GaAsBi コア-マルチシェルナノワイヤをSi(111) 基板上に結晶成長することに成功している．今回はその中で観測された特徴的GaAsBiナノワイヤの構造特性および結成長機構及について検討した結果を報告する。