[15p-421-1~18] 9.2 Nanowires and Nanoparticles

[15p-421-6] Lateral size reduction in InGaAs/GaAs nanowire-quantum dots by post growth annealing

〇Fumio Maehara¹, Jun Tatebayashi², Satomi Ishida¹, Masao Nishioka¹, Yasutomo Ota², Satoshi Iwamoto^1,2, Yasuhiko Arakawa^1,2 (1.IIS, the Univ. of Tokyo, 2.Institute for NanoQuine, the Univ. of Tokyo)

Keywords:nanowire, quantum dot, anneal

量子情報処理などの実現に向けた高性能微小光源として量子ドットをナノワイヤ中に埋め込んだナノワイヤ量子ドットが注目されている。ナノワイヤ量子ドットを用いた光デバイスの特性向上にはナノワイヤ量子ドットの直径の縮小により量子閉じ込め効果を大きくすることが重要である。今回，ナノワイヤ量子ドット形成後にアニールを施すことでナノワイヤ中の量子ドットを選択的にエッチングし直径を縮小することに成功した。