[15p-422-1~16] 3.13 Semiconductor optical devices

△ [15p-422-10] GaAsP Strained Quantum Well High-Order Deeply Etched DBR laser

〇Akihiro Yamashita¹, Masahiro Uemukai¹, Ryuji Katayama¹ (1.Grad. School of Engineering, Osaka Univ.)

Keywords:semiconductor laser, DBR laser

高分解能リソグラフィを必要としない周期1µm程度で溝深さ1µm以上の高次結合DBRを採用した単一モードレーザが報告されている。高次結合DBRでは低次の回折により放射損失が発生する。本研究ではDBR領域に電流注入することで放射損失による導波光の減衰の補償を試みた。結果、閾値38mA、サイドモード抑圧比31dBの800nm帯GaAsP歪量子井戸10次結合ディープエッチDBRレーザを実現した。